高通QC4.0快充技术曝光 骁龙830有望采用

摘 要

日前,有媒体援引外媒报道称,高通下一代旗舰处理器骁龙830或有望率先采用QC 4.0快充技术,该技术可提供最大功率达28W

 日前,有媒体援引外媒报道称,高通下一代旗舰处理器骁龙830或有望率先采用QC 4.0快充技术,该技术可提供最大功率达28W,对比QC 3.0最大功率为18W再获得质的飞跃提升。新快充技术采用的输出方案分为两种,一种是5V/4.7A-5.6A,还有一种是9V/3A。XD8高通骁龙

 

高通Quick Charge 4.0快速充电技术曝光XD8高通骁龙

 
高通Quick Charge 4.0快速充电技术曝光
 
作为移动芯的霸主,高通在处理器效能和新功能特性上与竞争对手迈开的步伐越来越大,快充4.0技术的突破将为手机带来更快速的充电性能,与更好的INOV技术管理结合,能让手机电池减少发热损伤。
 
根据来自Fudzilla的消息称,高通的快速充电4.0技术将成为该公司迄今为止最强大的快速充电解决方案,而该标准的最大充电功率将达到前所未有的28W。高通使用了一种名叫“最佳电压智能协商算法(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage)”的技术,在任何给定时间都可以判断电池需要的最佳功率级别。换言之,高通已经找到办法,在骁龙830设备中将更多的电量传输给电池,不伤害电芯。
 

高通Quick Charge 4.0快速充电技术曝光XD8高通骁龙

 
目前市场上搭载新一代骁龙处理器采用的是QC 3.0快充方案,通过手机评测可知,在应用于大容量充电时,能在短时间内为手机电池补充更多电能,减少充电时间。虽然QC 3.0快充技术已经足够强悍,但竞争对手们也开始逐渐有反超趋势,比如Oppo所使用的VOOC标准,它的输出功率高达20W,华为Super Charge最大输出功率22.5W。
 
如果明年高通能为新一代处理器采用QC 4.0快充技术,这项新技术将把对手远远抛在后头,据现在业界人士推测这项支持Quick Charge 4.0技术的高通处理器将最早于2017年第一季度推出,骁龙830有望率先采用。